Samsung przyspiesza w kierunku 1nm. Wyścig o technologiczną supremację
W branży półprzewodników trwa zaciekła rywalizacja o pierwszeństwo w osiągnięciu przełomowych innowacji.
W branży półprzewodników trwa zaciekła rywalizacja o pierwszeństwo w osiągnięciu przełomowych innowacji.
TSMC, tajwański gigant, nie spodziewa się osiągnąć tego kamienia milowego przed 2030 rokiem. Intel prawdopodobnie wyprzedzi tego rywala o kilka lat. Jednak według najnowszych doniesień, to Samsung zamierza przeskoczyć konkurentów, ogłaszając plany uruchomienia produkcji 1nm już w 2026 roku – rok wcześniej niż pierwotnie zakładano.
Choć technicznie rzecz biorąc, będzie to proces 1,4 nm, a nie dokładnie 1 nm, i tak uczyni to z Samsunga pierwszą firmą, która zejdzie poniżej bariery 2 nm. To śmiały krok dla koreańskiego giganta, który jeszcze kilka lat temu odstawał od rywali w kwestii litografii ekstremalnego ultrafioletu (EUV).
Zgodnie z doniesieniami firmy analitycznej TrendForce, Samsung ma ogłosić swoje ambitne plany dotyczące węzła 1nm podczas forum w Dolinie Krzemowej w dniach 12-13 czerwca. W ramach zaktualizowanej mapy proces SF1.4 zostanie przesunięty z 2027 na 2026 rok. Dotychczasowe plany Samsunga zakładały rozpoczęcie produkcji 2nm w 2025, trwającej do 2026 roku, a węzeł 1,4nm miał wejść w 2027 roku – rok przed przewidywanym 1,4nm procesem TSMC.
Gdyby Samsung rzeczywiście uprzedził swojego największego rywala w tej kluczowej technologii, nie byłaby to pierwsza taka sytuacja. W połowie 2022 roku firma jako pierwsza uruchomiła produkcję 3nm, wyprzedzając TSMC o około pół roku, choć przez dłuższy czas zmagała się z niską wydajnością. Koreańczycy mają też przewagę nad tajwańskim rywalem, bo ich proces 3nm wykorzystuje rewolucyjne tranzystory GAA (gate-all-around), podczas gdy TSMC i Intel wciąż stosują starsze FinFET. Obaj rywale przejdą na GAA dopiero przy 2nm, podczas gdy Samsung ma już dwuletnie doświadczenie z tą technologią.
Do czasu wprowadzenia 1,4nm, Samsung będzie już trzecią generacją procesu GAA, dającą potencjalną przewagę nad konkurentami dopiero raczkującymi w tej dziedzinie. Zarówno Samsung, jak i TSMC wykorzystują nanoarkusze dla GAA, podczas gdy Intel przechodzi na wstęgowe tranzystory RibbonFET. Intel i Samsung wprowadzą też zasilanie od spodu (backside power delivery) przy 2nm, czego TSMC nie planuje przynajmniej w pierwszych iteracjach swojego procesu 2nm.
W tej pasjonującej rywalizacji liczą się nie tylko najnowsze innowacje, ale też zdolność do ich szybkiego wdrożenia i skalowania na masową skalę. Samsung ryzykuje, forsując przyspieszony harmonogram 1nm, ale ewentualne wyprzedzenie konkurencji może przynieść ogromne dywidendy w postaci nowych kontraktów i ugruntowania pozycji technologicznego lidera. Przyszłość pokaże, czy ta śmiała strategia się opłaci, czy też TSMC i Intel zdołają odeprzeć atak koreańskiego giganta.