Kiedyś było 512 MB sukcesem…
Przyszła pora na odświeżenie portfolio Samsunga w grupie podzespołów komputerowych. Firma poinformowała właśnie, że pracuje nad kością RAM, która jest o pojemności 512 GB DDR5. Taka pojemność możliwa jest dzięki zastosowaniu technologii TSV.
Oczywiście pojemność takiej kości to nie wszystko. Pamięć RAM 512 GB zmieszczona w jednym module ma być też dość szybka. Przesyłane dane będą z prędkością 7200 Mb/s. Oczywiście taka pamięć nie znajdzie zastosowania (na razie) w komputerach domowych, a raczej w super zestawach komputerowych, które wykorzystywane są do olbrzymich obliczeń.
Samsung pamięć RAM 512 GB
Samsung jest firmą, która posiada oraz doświadczenie w zakresie włączania najnowocześniejszej technologii logicznej HKMG do rozwoju produktów pamięciowych. Wprowadzając tego typu innowacje procesowe do produkcji pamięci DRAM, jesteśmy w stanie zaoferować naszym klientom wysokowydajne, a jednocześnie energooszczędne rozwiązania pamięci do zasilania komputerów potrzebnych do badań medycznych, rynków finansowych, jazdy autonomicznej, inteligentnych miast i nie tylko.
powiedział Young-Soo Sohn, wiceprezes DRAM Memory Planning / Enabling Group w Samsung Electronics.
Oznacza to, że taka pamięć może znaleźć swoje miejsce także w samochodach elektrycznych, które przygotowywane są do autonomicznej jazdy. Przykładowo Tesla potrzebuje olbrzymich mocy obliczeniowych. Taka kość byłaby idealnym rozwiązaniem.
Wykorzystując technologię through-silicon via (TSV), DDR5 firmy Samsung składa się z ośmiu warstw układów pamięci DRAM 16 Gb / s, aby zapewnić największą pojemność 512 GB. TSV został po raz pierwszy zastosowany w DRAM w 2014 roku, kiedy Samsung wprowadził moduły serwerowe o pojemności do 256 GB.
Prace nad kością pamięci trwają, na razie brak jest konkretnych informacji na temat ewentualnej daty premiery.
źródło: samsung.com